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SIR836DP-T1-GE3

  • 廠家：Vishay Siliconix
  • 封裝：PowerPAK? SO-8
  • 批號：--
  • 數(shù)量：3,000 - 立即發(fā)貨
  • 價(jià)格：2.132
  • 類型：FET - 單
  • PDF：SIR836DP-T1-GE3

SIR836DP-T1-GE3

  • 包裝

    帶卷 （TR） 可替代的包裝

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    40V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    21A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    19 毫歐 @ 10A，10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    2.5V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    18nC @ 10V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    600pF @ 20V

  • 功率 - 最大值

    15.6W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    PowerPAK? SO-8

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N-CH 40V 8-SOIC

  • 產(chǎn)品描述備注