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SIR812DP-T1-GE3

  • 廠家：Vishay Siliconix
  • 封裝：PowerPAK? SO-8
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：3,000 - 立即發(fā)貨
  • 價(jià)格：4.606
  • 類型：FET - 單
  • PDF：SIR812DP-T1-GE3

SIR812DP-T1-GE3

  • 包裝

    帶卷 （TR） 可替代的包裝

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    30V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    48.9A （Ta）， 60A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    1.45 毫歐 @ 20A，10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    2.3V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    335nC @ 10V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    10240pF @ 15V

  • 功率 - 最大值

    104W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    PowerPAK? SO-8

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N-CH 30V 60A SO-8

  • 產(chǎn)品描述備注