" />" />

久久精品天堂无码,国产精品一区二区AV交换擁有海量的影視資源337p欧州亚洲美州同步更新,国内一级婬片免费网址最熱門最齊全的電影,超碰人人在线免费,日本亚洲精品无码专区国产

您好，歡迎您來到恒達億科技有限公司官方網(wǎng)站
服務熱線：0755-82723761 / 0755-82772189 |幫助中心|設為首頁| 加入收藏
您當前位置：首 頁 >> 產(chǎn)品索引 >> SIHB33N60E-GE3
跳過導航鏈接。

SIHB33N60E-GE3

  • 廠家：Vishay Siliconix
  • 封裝：D2PAK
  • 批號：--
  • 數(shù)量：892 - 立即發(fā)貨
  • 價格：43.540
  • 類型：FET - 單
  • PDF：SIHB33N60E-GE3

SIHB33N60E-GE3

  • 包裝

    散裝

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    標準

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    600V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    33A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    99 毫歐 @ 16.5A，10V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    150nC @ 10V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    3508pF @ 100V

  • 功率 - 最大值

    278W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N-CH 600V 33A TO-263

  • 產(chǎn)品描述備注