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SI4866BDY-T1-GE3

  • 廠家：Vishay Siliconix
  • 封裝：8-SOIC N
  • 批號：--
  • 數(shù)量：20,000 - 立即發(fā)貨
  • 價(jià)格：3.165
  • 類型：FET - 單
  • PDF：SI4866BDY-T1-GE3

SI4866BDY-T1-GE3

  • 包裝

    帶卷 （TR） 可替代的包裝

  • 系列

    TrenchFET?

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    12V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    16.1A （Ta）， 21.5A （Tc）

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    5.3 毫歐 @ 12A，4.5V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    1V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    80nC @ 4.5V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    5020pF @ 6V

  • 功率 - 最大值

    4.45W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N-CH 12V 21.5A 8-SOIC

  • 產(chǎn)品描述備注