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SI3430DV-T1-E3

  • 廠家：Vishay Siliconix
  • 封裝：6-TSOP
  • 批號：--
  • 數(shù)量：6,000 - 立即發(fā)貨
  • 價格：2.577
  • 類型：FET - 單
  • PDF：SI3430DV-T1-E3

SI3430DV-T1-E3

  • 包裝

    帶卷 （TR） 可替代的包裝

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    100V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    1.8A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    170 毫歐 @ 2.4A，10V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    2V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    6.6nC @ 10V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    -

  • 功率 - 最大值

    1.14W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    6-TSOP（0.065"，1.65mm 寬）

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N-CH 100V 1.8A 6-TSOP

  • 產(chǎn)品描述備注