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SI2367DS-T1-GE3
帶卷 (TR) 可替代的包裝
TrenchFET?
MOSFET P 通道,金屬氧化物
標(biāo)準(zhǔn)
20V
2.8A (Ta), 3.8A (Tc)
66 毫歐 @ 2.5A,4.5V
1V @ 250μA
23nC @ 8V
561pF @ 10V
1.7W
表面貼裝
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
MOSFET P-CH 20V 3.8A SOT-23