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RN1110MFV(TL3,T)

  • 廠家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封裝：VESM
  • 批號：--
  • 數(shù)量：8,000 - 立即發(fā)貨
  • 價格：0.280
  • 類型：晶體管（BJT） - 單路﹐預(yù)偏壓式
  • PDF：RN1110MFV(TL3,T)

RN1110MFV(TL3,T)

  • 包裝

    帶卷 （TR） 可替代的包裝

  • 系列

    -

  • 晶體管類型

    NPN - 預(yù)偏壓

  • 電流 - 集電極 (Ic)（最大值）

    100mA

  • 電壓 - 集射極擊穿（最大值）

    50V

  • 電阻器 - 基底 (R1) (Ω)

    4.7k

  • 電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω)

    -

  • 不同?Ic、Vce?時的 DC 電流增益 (hFE)（最小值）

    120 @ 1mA，5V

  • 不同?Ib、Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）

    300mV @ 500μA， 5mA

  • 電流 - 集電極截止（最大值）

    100nA（ICBO）

  • 頻率 - 躍遷

    -

  • 功率 - 最大值

    150mW

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    SOT-723

  • 產(chǎn)品簡介說明

    TRANSISTOR NPN VESM

  • 產(chǎn)品描述備注