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IXFN50N80Q2

  • 廠(chǎng)家：IXYS
  • 封裝：SOT-227B
  • 批號：--
  • 數量：54 - 立即發(fā)貨
  • 價(jià)格：304.430
  • 類(lèi)型：FET - 模塊
  • PDF：IXFN50N80Q2

IXFN50N80Q2

  • 包裝

    管件

  • 系列

    HiPerFET??

  • FET 類(lèi)型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    標準

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    800V

  • 電流 - 連續漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    50A

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    160 毫歐 @ 500mA，10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    5.5V @ 8mA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    260nC @ 10V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    13500pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    890W

  • 安裝類(lèi)型

    底座安裝

  • 封裝/外殼

    SOT-227-4，miniBLOC

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    MOSFET N-CH 800V 50A SOT-227B

  • 產(chǎn)品描述備注