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IRLD110PBF

  • 廠家：Vishay Siliconix
  • 封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：1,430 - 立即發(fā)貨
  • 價(jià)格：6.160
  • 類型：FET - 單
  • PDF：IRLD110PBF

IRLD110PBF

  • 包裝

    管件

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    100V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    1A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    540 毫歐 @ 600mA，5V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    2V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    6.1nC @ 5V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    250pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    1.3W

  • 安裝類型

    通孔

  • 封裝/外殼

    4-DIP（0.300"，7.62mm）

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP

  • 產(chǎn)品描述備注