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2SK3798(Q,M)

  • 廠家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封裝：TO-220SIS
  • 批號：--
  • 數量：電詢
  • 價格：13.318
  • 類型：FET - 單
  • PDF：2SK3798(Q,M)

2SK3798(Q,M)

  • 包裝

    散裝

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    標準

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    900V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    4A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    3.5 歐姆 @ 2A，10V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    4V @ 1mA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    26nC @ 10V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    800pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    40W

  • 安裝類型

    通孔

  • 封裝/外殼

    TO-220-3 整包

  • 產品簡介說明

    MOSFET N-CH 900V 4A TO220SIS

  • 產品描述備注