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2SK2614(TE16L1,Q)

  • 廠家：Toshiba Semiconductor and Storage
  • 封裝：DP
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：4.923
  • 類型：FET - 單
  • PDF：2SK2614(TE16L1,Q)

2SK2614(TE16L1,Q)

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    50V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    20A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    46 毫歐 @ 10A，10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    2V @ 1mA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    25nC @ 10V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    900pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    40W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

  • 產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明

    MOSFET N-CH 50V 20A DP

  • 產(chǎn)品描述備注