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2SJ661-DL-E

  • 廠家：ON Semiconductor
  • 封裝：SMP-FD
  • 批號(hào)：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：詢價(jià)
  • 類型：FET - 單
  • PDF：2SJ661-DL-E

2SJ661-DL-E

  • 包裝

    帶卷 （TR）

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET P 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    60V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    38A

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    39 毫歐 @ 19A，10V

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    2.6V @ 1mA

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    80nC @ 10V

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    4360pF @ 20V

  • 功率 - 最大值

    1.65W

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    TO-263-3，D2Pak（2 引線+接片），TO-263AB

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET P-CH 4V DRIVE SMP-FD

  • 產(chǎn)品描述備注