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2SJ352-E

  • 廠家：Renesas Electronics America
  • 封裝：TO-3P
  • 批號：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價(jià)格：詢價(jià)
  • 類型：FET - 單
  • PDF：2SJ352-E

2SJ352-E

  • 包裝

    管件

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET P 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    標(biāo)準(zhǔn)

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    200V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）

    8A （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）

    -

  • 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）

    -

  • 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)

    -

  • 不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)

    800pF @ 10V

  • 功率 - 最大值

    100W

  • 安裝類型

    通孔

  • 封裝/外殼

    TO-3P-3，SC-65-3

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET P-CH 200V 8A TO-3P

  • 產(chǎn)品描述備注