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2N7002ET1G

  • 廠家：ON Semiconductor
  • 封裝：SOT-23-3（TO-236）
  • 批號：--
  • 數(shù)量：電詢
  • 價格：0.161
  • 類型：FET - 單
  • PDF：2N7002ET1G

2N7002ET1G

  • 包裝

    帶卷 （TR） 可替代的包裝

  • 系列

    -

  • FET 類型

    MOSFET N 通道，金屬氧化物

  • FET 功能

    邏輯電平門

  • 漏源極電壓 (Vdss)

    60V

  • 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）

    260mA （Ta）

  • 不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）

    2.5 歐姆 @ 240mA，10V

  • 不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）

    2.5V @ 250μA

  • 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)

    0.81nC @ 5V

  • 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)

    26.7pF @ 25V

  • 功率 - 最大值

    300mW

  • 安裝類型

    表面貼裝

  • 封裝/外殼

    TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

  • 產(chǎn)品簡介說明

    MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23

  • 產(chǎn)品描述備注