型號(hào)：IRLB3813PBF
制造商 
Infineon Technologies
制造商零件編號(hào) 
IRLB3813PBF
描述 
MOSFET N-CH 30V 260A TO-220AB
對(duì)無(wú)鉛要求的達(dá)標(biāo)情況/對(duì)限制有害物質(zhì)指令(RoHS)規(guī)范的達(dá)標(biāo)情況 無(wú)鉛/符合限制有害物質(zhì)指令(RoHS3)規(guī)范要求
?濕氣敏感性等級(jí) （MSL） 1（無(wú)限）
詳細(xì)描述 通孔-N-通道-30V-260A（Tc）-230W（Tc）-TO-220AB
零件狀態(tài) 有源
類(lèi)別 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
產(chǎn)品族 晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)
系列 HEXFET®
其它名稱(chēng) 64-0084PBF
64-0084PBF-ND
SP001558110
規(guī)格
FET 類(lèi)型 N 通道
技術(shù) MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss） 30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)） 260A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On） 4.5V，10V
不同 Id，Vgs 時(shí)的 Rds On（最大值） 1.95 毫歐 @ 60A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值） 2.35V @ 150μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 （Qg）（最大值） 86nC @ 4.5V
Vgs（最大值） ±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值） 8420pF @ 15V
FET 功能 -
功率耗散（最大值） 230W（Tc）
工作溫度 -55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類(lèi)型 通孔
供應(yīng)商器件封裝 TO-220AB
封裝/外殼 TO-220-3