2N7002T

包裝
帶卷（TR）可替代的包裝
系列
-
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)
60V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）
115mA （Ta）
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
7.5 歐姆 @ 50mA，5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)
-
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)
50pF @ 25V
功率 - 最大值
200mW
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
SC-89，SOT-490
產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523F
產(chǎn)品描述備注
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