SI2301CDS-T1-GE3

包裝
帶卷（TR）可替代的包裝
系列
TrenchFET?
FET 類型
MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)
20V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）
3.1A （Tc）
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
112 毫歐 @ 2.8A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）
1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)
10nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)
405pF @ 10V
功率 - 最大值
1.6W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
產(chǎn)品簡(jiǎn)介說明
MOSFET P-CH 20V 3.1A SOT23-3
產(chǎn)品描述備注
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