IPD30N06S2L-23

包裝
帶卷（TR）可替代的包裝
系列
OptiMOS??
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
邏輯電平門
漏源極電壓 (Vdss)
55V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）
30A
不同?Id、Vgs 時的?Rds On（最大值）
23 毫歐 @ 22A，10V
不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）
2V @ 50μA
不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)
42nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)
1091pF @ 25V
功率 - 最大值
100W
安裝類型
表面貼裝
封裝/外殼
TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
產(chǎn)品簡介說明
MOSFET N-CH 55V 30A TO252-3
產(chǎn)品描述備注
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