STW20N65M5

包裝
管件
系列
MDmesh? V
FET 類型
MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能
標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓 (Vdss)
650V
電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時(shí)）
18A （Tc）
不同?Id、Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）
190 毫歐 @ 9A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大值）
5V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)
45nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容 (Ciss)
1345pF @ 100V
功率 - 最大值
130W
安裝類型
通孔
封裝/外殼
TO-247-3
產(chǎn)品簡(jiǎn)介說明
MOSFET N-CH 650V 18A TO247
產(chǎn)品描述備注

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