CYD18S18V18-200BBAXC

包裝
托盤(pán)
系列
-
格式 - 存儲(chǔ)器
RAM
存儲(chǔ)器類型
SRAM - 雙端口，同步
存儲(chǔ)容量
18M（1M x 18）
速度
200MHz
接口
并聯(lián)
電壓 - 電源
1.42 V ~ 1.58 V，1.7 V ~ 1.9 V
工作溫度
0°C ~ 70°C
封裝/外殼
256-LBGA
產(chǎn)品簡(jiǎn)介說(shuō)明
IC SRAM 18MBIT 200MHZ 256FBGA
產(chǎn)品描述備注

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